主要型號(hào):
型號 | 功率(kW) | 工作電壓(V) | 最 大工作電流(A) | 主機(jī)外形尺寸 | 升壓轉換器外形(xíng)尺寸 | 冷卻 方式 |
HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷 |
HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A |
主要(yào)特點:
A 采用先(xiān)進的電(diàn)流型開關電(diàn)源技術,減小輸出儲能元件,
同時(shí)提高了抑製打火及重啟速度。
B 具備恒流/恒功(gōng)率(lǜ)模式可選。
C 具有(yǒu)理想(xiǎng)的電壓(yā)陡降特性,自(zì)動識別偽打火現象,
充分滿足(zú)轟擊清洗過程的連續性。
D 主要參數可大(dà)範圍調節。
E 可選擇手動控製/模擬量(liàng)接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的(de)PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率(lǜ)開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性(xìng)能穩定可(kě)靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產(chǎn)品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝(yì)的重複性,
並且具有抑製(zhì)靶材弧光放電及抗短路(lù)功能,
具有極佳的負載(zǎi)匹配能力,既保證了靶(bǎ)麵清洗(xǐ)工藝的穩定性,又提(tí)高了靶麵清洗速度;
主要(yào)參數均(jun1)可大範(fàn)圍連續調節;
方便(biàn)維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現(xiàn)自動化控(kòng)製。
主要用途:
MSB高壓雙極清(qīng)洗電源適用於工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和(hé)鍍矽油保護膜。
在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景。這種的真空鍍膜技術已在國民經濟各個領域得到應用。真空鍍膜技術是真空應用技術的一個重要分支(zhī),它已廣泛(fàn)地應 用於光學、電(diàn)子學、能源(yuán)開發、理化儀器、建築機械、包裝、民用製品、表麵科學以及(jí)科學研(yán)究等領域中(zhōng)。真空鍍(dù)膜所采(cǎi)用的方法主要有蒸發(fā)鍍.濺射鍍、離子鍍、束流沉(chén)積鍍以及分子束外延等。這種真空(kōng)鍍膜電源優勢(shì)會體現的比較明顯。
選用了領先的PWM脈寬調製(zhì)技術(shù),具有傑出的動態(tài)特性和抗(kàng)幹擾才能,動態呼應時刻小於10mS。規(guī)劃(huá)有(yǒu)電壓、電流雙閉環操控電路,可實時對輸出電壓電流的操控,能有用處理(lǐ)濺射過程中(zhōng)陰極靶麵(miàn)的不清潔導致(zhì)弧光放電造成大電流衝擊導致電源的(de)損壞疑問。選用(yòng)數字化DSP操控技術,主動操控電源的恒壓(yā)恒流狀況。在起弧和維弧時能主動疾速操控電壓電流使起弧(hú)和維弧作業更(gèng)安穩。
真空室裏的堆積條件跟著(zhe)時(shí)刻發作改動是常見的表象。在(zài)一輪運轉過中,蒸發源的特性會跟著膜材的(de)耗費而(ér)改動,尤其是規劃中(zhōng)觸及多層鍍膜時,假如技術進(jìn)程需繼續數個小時,真空室的熱梯度也會上升。一起,當真空室內壁發作堆(duī)積變髒時,不一樣次序的工效逐(zhú)步發生區別。這些要素雖然是漸進的並可以進(jìn)行抵償,但仍然大概將其視(shì)為體係公(gōng)役的(de)一部分。
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