MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電（diàn）流型開關電源技術（shù），減小輸出儲能元件（jiàn），
同時提高了抑（yì）製打火及重啟（qǐ）速度，應用在鋁靶（bǎ）鍍膜優勢更為明（míng）顯。
   B 具備恒流/恒功率（lǜ）模式（shì）可選（xuǎn）。恒功率模式相對於傳統的（de）恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓（yā）陡降特性，自動識別偽打火現象（xiàng），
充（chōng）分滿足磁控濺射工（gōng）藝過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調（diào）節
   E 可選擇手動控製/模（mó）擬量接口控（kòng）製，可選配RS485通訊（xùn）接口。
采用（yòng）先進的PWM脈寬調製技（jì）術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重（chóng）量輕、功能全、性（xìng）能穩定可靠，生產（chǎn）工藝嚴格完善。
該係（xì）列產品采用先進的DSP控（kòng）製係（xì）統，充分保（bǎo）證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製靶材弧光（guāng）放電及抗短路（lù）功能，
具（jù）有極佳（jiā）的負（fù）載匹配（pèi）能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定（dìng）性，又提高了（le）靶麵清洗速度；
主要參數均（jun1）可大範圍連續調節；
方（fāng）便（biàn）維護（hù），可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實現自動化控（kòng）製。

MSB係列雙極（jí）脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝（chōng）磁控濺射電源用（yòng）於中（zhōng）頻孿生靶磁控濺金（jīn）屬或非金屬材（cái）料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的（de）異常放電，預防（fáng）靶表麵中毒現（xiàn）象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中運用直流（liú）電源，這個電源的電子（zǐ）方向一直（zhí）統一，會導致單一品種電荷堆（duī）積過高與控製源中和。也（yě）就是（shì）說用來提供動力的正負極被中和了（le）。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜層（céng），包含鍍製晶態的金屬、半導體（tǐ）、絕緣體等單質或化合物（wù）膜。雖（suī）然（rán）化學汽相堆（duī）積也選（xuǎn）用（yòng）減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物（wù）理的辦法堆積薄膜（mó）。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技（jì）能初現於20世紀30年（nián）代，四五十（shí）年代開端呈現（xiàn）工業使用（yòng），工業化（huà）大規模出（chū）產開端於20世紀80年代，在電（diàn）子、宇航、包（bāo）裝、裝潢、燙金印刷（shuā）等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是（shì）指（zhǐ）在真空環境下，將（jiāng）某種金屬或金屬化合物（wù）以氣相（xiàng）的方式堆積到資料外表（通常是非（fēi）金屬資料），歸於物（wù）理（lǐ）氣相（xiàng）堆（duī）積工藝。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱真（zhēn）空金屬化。廣義的真（zhēn）空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬功用（yòng）性薄膜。在所有被鍍（dù）資猜中，以（yǐ）塑料（liào）樶為（wéi）常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆（lì）充（chōng）足（zú）、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁（fán）多的塑料或其他（tā）高分子資料作為工程裝修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業（yè）領域。但塑料資料大多存在外表硬度不高（gāo）、外觀不行華麗（lì）、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料（liào）程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大大增加資料外表（biǎo）耐磨性能，大（dà）大拓寬了塑料的裝修性（xìng）和使用範圍（wéi）。

真（zhēn）空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合（hé）非常豐富。整體來說，真（zhēn）空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高（gāo）度金屬光澤和鏡麵效果（guǒ），在薄（báo）膜資料上使膜層具（jù）有超卓的隔絕性能（néng），提供優異的電磁屏蔽和導電效（xiào）果。