北（běi）京HVB高壓雙極清洗電源

主要（yào）型號：

主要特點（diǎn）：

   A 采用先進的電（diàn）流（liú）型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同（tóng）時提高了抑製打火及重啟（qǐ）速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具（jù）有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現象，
充分滿足轟（hōng）擊清洗過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節。
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的（de）PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為（wéi）功率開關器件，
體積小、重（chóng）量輕、功能（néng）全、性能穩定（dìng）可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產（chǎn）品采（cǎi）用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜（mó）工藝的重複性，
並且（qiě）具有（yǒu）抑（yì）製靶材弧光放電及（jí）抗短路功能，
具有（yǒu）極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可（kě）大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方（fāng）便實現自動化控製。

主要用途：

MSB高壓雙（shuāng）極清洗（xǐ）電源適用於工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和鍍矽油（yóu）保護（hù）膜。

在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景。這種的（de）真空鍍膜技術已在國民（mín）經濟各個領域得到應用（yòng）。真空鍍（dù）膜技術是真空應（yīng）用技術（shù）的一個重（chóng）要分（fèn）支，它已廣泛地應 用於光學（xué）、電子（zǐ）學、能源開發、理化儀器、建築機械、包裝、民用製（zhì）品、表麵（miàn）科學以及科學研究等領域中。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸（zhēng）發鍍．濺射鍍、離子鍍、束流（liú）沉（chén）積鍍以（yǐ）及分子束外延（yán）等（děng）。這種真空鍍膜電源優勢會體現的比（bǐ）較明顯。

選用了領先的PWM脈寬調製技術，具有傑出的動態特性和抗幹擾才能，動態（tài）呼應時刻（kè）小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環操控電路（lù），可實時對輸出（chū）電壓電流的操控，能有用處理（lǐ）濺射過程中陰極靶麵的不清潔導致弧光放電造成大電流衝擊導致電源（yuán）的損壞疑問。選用數字化DSP操控技術，主動（dòng）操（cāo）控（kòng）電源的（de）恒（héng）壓恒流狀況。在起弧和維（wéi）弧時能主動疾速操控電壓（yā）電流使起弧和（hé）維弧作業更安（ān）穩。

真空室（shì）裏的堆積條件跟著時刻發作（zuò）改動（dòng）是常見的表象。在一輪運轉（zhuǎn）過中，蒸發源的特性（xìng）會跟（gēn）著膜（mó）材的耗費（fèi）而改動，尤其是規劃中觸（chù）及多層鍍膜（mó）時，假如技（jì）術進程（chéng）需繼（jì）續數個小（xiǎo）時，真空室的熱梯度也會上升。一起，當真空室內壁發作堆積變髒時，不一樣次（cì）序的工效（xiào）逐步發生區別。這（zhè）些要素雖然是漸進的並可以進（jìn）行抵償，但仍然大概將其視為體係公役的一部分。