北京MSB中頻磁控濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進（jìn）的電流型開（kāi）關（guān）電源技術，減（jiǎn）小輸出（chū）儲能元件，
同時提高了抑製（zhì）打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒（héng）功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重複性。
   C 具有（yǒu）理想的電壓陡降特性，自（zì）動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的（de）連續性。
   D 主要參數可大（dà）範圍調節（jiē）
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配（pèi）RS485通（tōng）訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製（zhì）技術（shù），使用（yòng）進口IGBT或（huò）MOSFET作（zuò）為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工（gōng）藝嚴格完善（shàn）。
該（gāi）係列產品（pǐn）采用先進的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑製靶材（cái）弧光放（fàng）電及抗短路功能，
具有（yǒu）極佳的負載匹（pǐ）配能力，既保證了（le）靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主（zhǔ）要參數均可大（dà）範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠性（xìng）高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便（biàn）實現自動化控製。

MSB係列雙極脈衝磁（cí）控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料（liào），特別適合（hé）於反應磁控濺射。能增加離化率，減少電荷（hé）積（jī）累引起的異常放電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍膜電源時，使（shǐ）用直流負偏壓電源，其中運用直流（liú）電源，這個電源（yuán）的（de）電子方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積過（guò）高與控製源中和。也就是（shì）說用來提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺（jiàn）射將不再持續。所以選用脈（mò）衝電（diàn）源（yuán）。

在真空中（zhōng）製備膜層（céng），包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化（huà）學汽相堆積也選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法（fǎ）堆積（jī）薄膜。真空鍍膜有三（sān）種方（fāng）式，即蒸發（fā）鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年（nián）代，四五十（shí）年代開（kāi）端呈現（xiàn）工業使用，工業化大（dà）規（guī）模出產開（kāi）端於20世紀80年代，在電子（zǐ）、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指在真空環境（jìng）下（xià），將某種金屬或金屬化合物以（yǐ）氣相的方式堆（duī）積（jī）到資料（liào）外表（biǎo）（通常是非金屬資料），歸於（yú）物理氣相堆積工藝。由於鍍層常（cháng）為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含（hán）在（zài）金屬或非金（jīn）屬資料外表（biǎo）真空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有（yǒu）被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次（cì），為紙張鍍膜（mó）。相對於（yú）金屬、陶（táo）瓷（cí）、木材等資料，塑（sù）料具有來曆充足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工（gōng）程（chéng）裝修性結構資料，大量使（shǐ）用於轎車、家電、日用包裝、工（gōng）藝裝修（xiū）等工業領域。但塑料資料大多存（cún）在外表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點，如在塑料外表蒸鍍一層（céng）極薄的金屬薄膜，即可賦予塑（sù）料程亮的金屬外觀（guān），合適的（de）金屬源還可大大（dà）增加資料（liào）外表耐磨性能，大大拓（tuò）寬了塑料的裝修性和使用範（fàn）圍。

真空鍍膜的功用是多方麵（miàn）的，這也決議了其（qí）使用場合（hé）非常豐富。整體來說，真空（kōng）鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外（wài）表高度金屬光（guāng）澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超（chāo）卓的隔絕性能，提供優（yōu）異的電磁屏蔽和導電效果。