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武漢ISP離子源電(diàn)源

武漢ISP離子源電(diàn)源

  • 所屬分類:武漢ISP離子源電源
  • 瀏覽(lǎn)次數:
  • 發布日期:2020-05-21 14:06:32
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

主要型號:


型號

功率(W)

工作(zuò)峰值電(diàn)壓(V)

最 大工作電(A)

主機外形尺寸

冷卻方式

ISP2000V

700

2kV

0.35A

482*175*550

(WHD)[4U]


風冷




主要特點:
   A具有行動穩定電(diàn)壓功能(néng),具有理(lǐ)想的電壓陡降特性,有效抑製離子(zǐ)源源頭表麵打火。
   B 直流疊(dié)加脈衝輸出,峰值可達2000V。
   C 頻率40kHz,占空比45%~90%。
   D 可選擇手動控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調(diào)製技(jì)術,使用進口IGBT或MOSFET作(zuò)為(wéi)功率(lǜ)開(kāi)關器件,
體積小(xiǎo)、重量(liàng)輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠,生產工藝嚴格完善。
該(gāi)係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性(xìng),
並且具有(yǒu)抑製靶(bǎ)材弧光放(fàng)電及抗短路功(gōng)能,具
有極佳的負(fù)載匹配能力(lì),既保證了靶麵清洗工藝的穩定(dìng)性,又提高了靶麵清洗速度(dù);
主(zhǔ)要參數均可大範(fàn)圍(wéi)連續調節;
方(fāng)便維護,可靠(kào)性高;
PLC接口和RS485接口擴展(zhǎn)功能,方便實現自動化控製。


主要用途:

ISP離子源電源適用於陽極層離子源驅動電(diàn)源。




隨著電力電子技術的高(gāo)速發展,電子設備與人們的工作、生活關係日益密切,而(ér)電子設備(bèi)都離不開可靠的電源。作為設備製造領域必不可少的電子元器件之一,大功率(lǜ)開(kāi)關電源廠家的(de)開關電源技術隨著電力電子技術的發展和創(chuàng)新而(ér)在不斷創新。目前,市場上存在的開關電(diàn)源種類繁多,開關電源廠家更是不計其(qí)數,隨著(zhe)設備製造商對電源開關種(zhǒng)類的多樣化需求,開(kāi)關(guān)電源製造商在不斷生產出更多種類的開(kāi)關(guān)電源。現在計算機、通訊、電子設備以及(jí)家用電器設備等多種領(lǐng)域都在廣泛的使用開關電源,這些領域設備更新迅速,產品淘汰率高,所需的開關電源種類總在不斷更替,更加促進了開關電源市場的迅猛發展。

大功率開關電源廠家

在信息存儲(chǔ)領域中:薄(báo)膜(mó)材料作為信息記錄(lù)於存儲介質,有其得天(tiān)獨厚的優勢:由於(yú)薄膜很薄,可以忽略渦流(liú)損耗;磁化反轉極為迅速(sù);與膜(mó)麵平行的(de)雙(shuāng)穩態狀態容易保持等。為了更精密地記(jì)錄(lù)與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。


在集成電(diàn)路製(zhì)造中:晶(jīng)體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(xiàn)(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻(pín)濺(jiàn)射技術。可見,氣相沉(chén)積是製備集成電路的核(hé)心技術之一。


電源作為各種電(diàn)子設備不可獲取的組成部分,其性能優劣直接關係到電子設備的技術指標級能否安全可靠。如今的開關電(diàn)源(yuán)由於本身低能量消耗和較高的電源效率而取代了早期效率低、耗能高的線性電源,被廣泛用(yòng)於電子計算(suàn)機、通訊、家電等各個行業,被譽為高效節能型(xíng)電源。


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