主要型號:
型號 | 功率(kW) | 工作電(diàn)壓(V) | 最 大工(gōng)作電流(A) | 主機外形(xíng)尺寸 | 升壓轉換(huàn)器外(wài)形(xíng)尺寸(cùn) | 冷卻 方式 |
HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷(lěng) |
HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A |
主要特點:
A 采用先進的電流(liú)型開關(guān)電源技術,減小輸出儲能元件,
同時提高了抑製打火(huǒ)及重啟速度。
B 具備恒流/恒功率模式可選。
C 具有理想的電壓陡降特性,自動識別(bié)偽打火現象,
充分滿(mǎn)足轟擊清洗過程的連續性。
D 主要參數可大範圍調節。
E 可選擇手動控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或(huò)MOSFET作為功率(lǜ)開關器件,
體積小、重量輕、功能全(quán)、性能穩定(dìng)可靠,生產(chǎn)工藝嚴格完善。
該係列產品采用先(xiān)進的DSP控製係統,充(chōng)分保證(zhèng)鍍膜工藝的(de)重複性,
並且具有(yǒu)抑製靶(bǎ)材弧光放電及抗短(duǎn)路功能,
具有極佳的負載匹配能力(lì),既(jì)保證了靶麵(miàn)清洗工藝的穩(wěn)定性,又提高了靶(bǎ)麵清(qīng)洗速度;
主要參數(shù)均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MSB高壓雙極清洗電源適用於工件(jiàn)鍍(dù)膜前的(de)高壓轟擊清洗和鍍矽(guī)油保護膜。
在(zài)高技術產業化的發展中展現出誘人的市場(chǎng)前景。這種的(de)真空鍍膜技(jì)術已在國民經濟(jì)各個領域得到應用。真空鍍膜技術是真空應用技術的一個(gè)重要分支,它已(yǐ)廣泛地應 用於光學、電子學、能源開發、理化儀器、建築機(jī)械、包裝、民用製品、表麵科(kē)學以及科學(xué)研究(jiū)等領域中。真空鍍膜所采用的(de)方法(fǎ)主要有蒸(zhēng)發鍍.濺射鍍、離子鍍、束流(liú)沉積鍍以(yǐ)及分子(zǐ)束外延等。這種真空鍍膜電源優勢會體現(xiàn)的比較明顯。

選用(yòng)了領先的PWM脈(mò)寬調(diào)製技術,具有傑出的動態特性和抗幹(gàn)擾才能,動態呼應時刻小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環操控(kòng)電(diàn)路,可實時對輸出電壓電流的操控,能有用處理(lǐ)濺射過程中陰極靶麵的不清潔導(dǎo)致(zhì)弧光放電造成大電流衝擊導致電源的(de)損壞疑問。選用數字化DSP操(cāo)控技術,主動操控電(diàn)源的恒壓恒流(liú)狀況。在起弧和維弧時能(néng)主動疾速操控電(diàn)壓電流使起弧和維弧(hú)作業更安穩。
真空室裏的堆積條件跟著時刻(kè)發作改動是常見的表象。在一(yī)輪運轉過中,蒸發源的特性會跟著膜材的耗費而改動,尤其是規劃中觸及多層鍍膜時,假如技(jì)術進程需(xū)繼續數個小時,真空室的(de)熱梯度也會(huì)上升。一起,當真(zhēn)空室內壁發作堆積變髒(zāng)時,不一樣次序的工(gōng)效逐步發生區別。這些(xiē)要素雖然是(shì)漸進(jìn)的並可以進行(háng)抵償,但仍(réng)然大概將其視為體係公役的一部分。