主要型號:
型號 | 功率(W) | 工(gōng)作(zuò)電壓(V) | 蕞大(dà)峰值電流(A) | 外(wài)形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主(zhǔ)要特點:
A 可選擇三角波(bō)、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可(kě)選擇手動控製/模擬量接口控(kòng)製,可選配RS485通訊接口(kǒu)。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開關器件(jiàn),
體積小、重量輕、功能(néng)全、性能(néng)穩(wěn)定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列(liè)產品采(cǎi)用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝(yì)的重複性,
並且具有抑製(zhì)靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定(dìng)性,又提高(gāo)了靶麵(miàn)清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便(biàn)維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展(zhǎn)功能,方便實(shí)現自動(dòng)化控製。
主要用途:
MS係(xì)列勵磁多波形電源選擇多種電(diàn)壓波形輸出(chū)。通過驅動多弧靶外(wài)圍磁場線圈,產生周期性可(kě)變(biàn)磁磁(cí)場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現在工業區(qū),在(zài)範圍上擴展的是越(yuè)來越廣,跟(gēn)隨我們行業的發展,現(xiàn)在機械設備研發的是越(yuè)來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範圍(wéi)上,在(zài)數量上都不會少,現在我們來了解下真空鍍膜電(diàn)源這項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光(guāng)學(xué)儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等(děng),它(tā)們都離不開鍍膜技術,鍍製的(de)薄膜有反射(shè)膜、增(zēng)透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質(zhì),有其得天獨(dú)厚的優勢:由於薄膜很薄(báo),可以忽(hū)略渦流損耗(hào);磁化(huà)反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息(xī),必然要(yào)采用鍍(dù)膜技(jì)術。
3、在傳(chuán)感器(qì)方麵:在傳感器中(zhōng),多采用那些電氣性質相對於物(wù)理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作(zuò),因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路製(zhì)造中:晶體管路中(zhōng)的保護層(SiO2、Si3N4)、電極(jí)管線(多晶矽、鋁、銅(tóng)及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備(bèi)集(jí)成電(diàn)路的核心技術之一。