主要型號:
型號 | 功(gōng)率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電(diàn)流(A) | 外形尺寸 | 冷卻(què)方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主(zhǔ)要特點:
A 可選擇(zé)三角波、矩形波、正弦波三種波(bō)形,波形的蕞高值和蕞低值可獨(dú)立設(shè)置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻(pín)率範圍:0.1-50Hz
D三角(jiǎo)波(bō)、矩形波占空比10%~90%
E 可選(xuǎn)擇手動控製/模(mó)擬量接口控製,可選配RS485通訊接(jiē)口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作(zuò)為功率開關器件(jiàn),
體積小、重量輕、功能全(quán)、性能穩定可靠,生產工藝(yì)嚴格(gé)完善。
該係列產品采用先進的DSP控製(zhì)係統,充分(fèn)保證鍍膜工藝的重複性,
並且(qiě)具有(yǒu)抑製(zhì)靶材弧光放電及(jí)抗短路功能,
具有極佳的(de)負載匹配能力,既保(bǎo)證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提(tí)高了靶麵清洗速(sù)度;
主(zhǔ)要參數均可大範圍連續調節(jiē);
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途(tú):
MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過(guò)驅動(dòng)多弧(hú)靶外圍磁場線(xiàn)圈,產生(shēng)周期性(xìng)可(kě)變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻(yún)放電,提(tí)高工件膜層(céng)質量(liàng)

現在工業區,在範圍(wéi)上擴展的是越來越廣,跟隨我們行業的發展(zhǎn),現在機械設備研發的是越來越多(duō),當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯(kěn)定是要應用到的啦,在範圍上,在數量上都不會(huì)少,現在我們(men)來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在(zài)光學儀器中:人們熟悉的光學儀器(qì)有望遠鏡、顯微(wēi)鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡(jìng)子、眼鏡、放大鏡等,它(tā)們都離不開鍍膜(mó)技術,鍍製的薄膜(mó)有反射膜、增透(tòu)膜和吸(xī)收膜(mó)等幾種。
2、在信息存(cún)儲領域中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的(de)優勢:由於(yú)薄膜很薄,可以忽略(luè)渦流損耗;磁(cí)化反轉極為迅(xùn)速;與膜麵平行(háng)的雙穩(wěn)態狀態容易保(bǎo)持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信(xìn)息,必然(rán)要采用鍍膜技術。
3、在傳感器(qì)方麵:在傳(chuán)感器(qì)中,多采用那些電氣性(xìng)質相(xiàng)對於物理量(liàng)、化學(xué)量及其(qí)變化來說,極為(wéi)敏感的半導體材(cái)料。此外,其中,大(dà)多數利(lì)用的是半導體的表麵、界(jiè)麵的性質,需要盡量(liàng)增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護(hù)層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空(kōng)蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣(qì)相沉積是製備集成電路的核心技術之一。
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