主要型號:
型號 | 功率(W) | 工(gōng)作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要(yào)特點:
A 可選擇三角波(bō)、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸(shū)出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率(lǜ)範圍(wéi):0.1-50Hz
D三角波(bō)、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動(dòng)控製/模擬(nǐ)量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使(shǐ)用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為(wéi)功率開(kāi)關器件,
體積小、重(chóng)量輕、功能全、性能(néng)穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用(yòng)先進的DSP控(kòng)製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並(bìng)且(qiě)具有抑製(zhì)靶材弧光放電及抗短路功能,
具(jù)有極佳的負(fù)載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩(wěn)定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續(xù)調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方(fāng)便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源選擇(zé)多種電壓波形輸(shū)出。通過驅動(dòng)多弧靶外(wài)圍磁(cí)場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的(de)集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現在(zài)工(gōng)業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨我們行業的發展,現在(zài)機械(xiè)設備研發的(de)是越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些(xiē)加(jiā)工廠(chǎng)家肯(kěn)定是要應用到的(de)啦,在範圍上,在(zài)數量上都不會少,現(xiàn)在我們來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學(xué)儀器(qì)中:人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離(lí)不開鍍膜技術,鍍製的薄膜(mó)有反射膜、增透膜和吸收膜等幾(jǐ)種。
2、在信(xìn)息存儲領域中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等(děng)。為了(le)更精密地記(jì)錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中,多(duō)采用那些(xiē)電氣性質相(xiàng)對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料(liào)。此外,其中,大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體(tǐ)的表麵、界麵的性質,需要盡量增大(dà)其麵積,且能工業化、低價格製作,因(yīn)此,采用薄膜的(de)情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真(zhēn)空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和射(shè)頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備(bèi)集成電路的核心技術之一。