主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作(zuò)電壓(V) | 蕞大峰值電流(liú)(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主(zhǔ)要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦(xián)波三種波形,波形的蕞高值(zhí)和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手(shǒu)動控製/模擬量接口(kǒu)控製,可(kě)選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口(kǒu)IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善。
該係列產品(pǐn)采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且(qiě)具有抑(yì)製靶材弧光(guāng)放電及抗短路功能,
具有(yǒu)極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性(xìng),又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和(hé)RS485接口擴展(zhǎn)功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係(xì)列勵磁多波形(xíng)電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧(hú)靶外圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電(diàn),提高工(gōng)件膜層質(zhì)量(liàng)

現在工業區,在(zài)範圍上擴展的(de)是(shì)越來越廣,跟隨我們行(háng)業的發展,現在機械設備研發(fā)的是越來(lái)越多(duō),當然(rán)啦,研發那麽多,在一些加工廠(chǎng)家肯定是要應用到的啦,在(zài)範圍上(shàng),在數量(liàng)上都不會少,現在我們來(lái)了解下真空鍍膜電源這項項目(mù)吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微(wēi)鏡、照相機、測距(jù)儀,以及日常生活用品中的鏡子(zǐ)、眼鏡、放大鏡(jìng)等,它們都離不開鍍膜(mó)技術,鍍製的薄膜有反射(shè)膜、增透膜和吸收膜等幾(jǐ)種。
2、在信息存儲領域(yù)中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽(hū)略渦(wō)流損耗;磁化反轉極為迅(xùn)速;與膜麵平行的雙穩(wěn)態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方(fāng)麵:在(zài)傳感器中,多采用(yòng)那(nà)些電氣性質相對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數利(lì)用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要(yào)盡量增大其麵積,且(qiě)能工業化、低價格製作,因此,采用薄(báo)膜的情況很多。
4、在(zài)集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術(shù)、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核心技術之一。