主要型號(hào):
型號(hào) | 功(gōng)率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰(fēng)值電流(liú)(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高(gāo)值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形(xíng)頻(pín)率範圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動(dòng)控製/模擬量接口控製,可選(xuǎn)配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件(jiàn),
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產(chǎn)工藝嚴格完(wán)善。
該係列產品采(cǎi)用先(xiān)進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重(chóng)複性,
並且具有(yǒu)抑製靶材弧(hú)光(guāng)放電及抗短(duǎn)路(lù)功能,
具有(yǒu)極佳的負(fù)載匹(pǐ)配能力,既保證(zhèng)了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數(shù)均可大範圍連續調節;
方(fāng)便維護,可靠性高;
PLC接口和(hé)RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列(liè)勵磁多波形電(diàn)源選(xuǎn)擇多(duō)種(zhǒng)電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外(wài)圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均(jun1)勻(yún)放(fàng)電,提高工件膜層質量
現在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣(guǎng),跟隨我們行業的發展,現在機械設備研發的是越來越多,當(dāng)然(rán)啦,研發那(nà)麽多,在一些加工廠家肯(kěn)定是要應用到(dào)的啦,在(zài)範(fàn)圍上,在數量上都不會(huì)少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這(zhè)項項目吧!
1、在光學儀器中:人們熟悉的(de)光學儀器有望遠鏡、顯微鏡(jìng)、照相機、測距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技(jì)術,鍍製的薄膜(mó)有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲(chǔ)領域(yù)中:薄(báo)膜材料作為信息記錄於存儲(chǔ)介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄(báo),可(kě)以(yǐ)忽略渦流損耗(hào);磁化(huà)反轉極為(wéi)迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與(yǔ)存儲信息(xī),必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中(zhōng),多采用那些電氣性質相對於物理量、化學量及其(qí)變化來說,極為敏感的半導體材料。此外,其中,大多數(shù)利用的是半導體的(de)表麵、界麵的性質,需要盡量增(zēng)大其麵積,且能工業(yè)化、低價格製作,因此,采用薄膜(mó)的情況很多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多(duō)是采用CVD技術、PVCD技術、真(zhēn)空蒸發(fā)金屬技術、磁(cí)控濺射技術和射(shè)頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的(de)核心技術之一。