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主要型號:
型號 | 功率(W) | 工(gōng)作電壓(V) | 蕞大(dà)峰值電流(A) | 外形(xíng)尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形(xíng)波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和(hé)蕞低值可獨立設置。
B輸出電(diàn)壓(yā)範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三(sān)角波、矩(jǔ)形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製/模擬量接(jiē)口(kǒu)控(kòng)製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或(huò)MOSFET作為功率開關器件,
體(tǐ)積小、重量輕、功能全、性能穩定(dìng)可靠,生產工藝嚴格(gé)完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統(tǒng),充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵(miàn)清洗工藝的(de)穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方(fāng)便維護,可靠(kào)性高;
PLC接(jiē)口和(hé)RS485接口擴展功能,方便(biàn)實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁(cí)多波(bō)形電源選擇多種電(diàn)壓波形輸出。通過(guò)驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生周期(qī)性可變磁磁場,使多弧輝光由原來(lái)的集中放電變為均勻放(fàng)電,提(tí)高工件膜層質量

現在工業區,在範圍上擴展的是越來越(yuè)廣,跟隨我們行業的發展,現在機械設備研發的是越來越多,當然啦(lā),研發那(nà)麽多,在一些加工廠家肯定是(shì)要應用(yòng)到的(de)啦,在範(fàn)圍上,在數量上都不會少,現在我們來了解下真(zhēn)空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀器有望(wàng)遠鏡、顯微鏡、照(zhào)相機、測距儀,以及日常生(shēng)活用品中的鏡子、眼鏡(jìng)、放大鏡等,它們都離不(bú)開鍍膜技(jì)術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜(mó)等幾(jǐ)種。
2、在(zài)信(xìn)息存儲領域(yù)中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天(tiān)獨厚的優(yōu)勢:由於薄(báo)膜(mó)很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的(de)雙(shuāng)穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與(yǔ)存儲信息,必然要采用(yòng)鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器(qì)中(zhōng),多采用那些(xiē)電(diàn)氣性質相對於物理量、化學量及其變化(huà)來說,極為(wéi)敏感的半(bàn)導體材料。此外,其中(zhōng),大多數利用的是半導(dǎo)體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因(yīn)此,采用薄膜的情況很(hěn)多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管(guǎn)線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空(kōng)蒸發金(jīn)屬技術(shù)、磁控濺射技術和射頻(pín)濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核(hé)心技術之一。