武（wǔ）漢MS係列勵磁多波形電源

主要型號：

主要特點（diǎn）：
   A 可選擇三角（jiǎo）波、矩形（xíng）波、正弦波三種波形，波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
   B輸出電壓範圍：-40V~+40V。
   C波形頻率範圍：0.1-50Hz
   D三角波（bō）、矩形波占空比10%~90%
   E 可選擇手動控製/模擬量接（jiē）口控（kòng）製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全（quán）、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係（xì）列產品采用先（xiān）進（jìn）的DSP控製係統，充分保證鍍膜工藝（yì）的重複（fù）性，
並且具有（yǒu）抑（yì）製靶材弧光放電及抗短路功能，
具（jù）有極佳的負載匹配（pèi）能力，既保證了靶（bǎ）麵清洗工藝的穩定性，又提高了（le）靶麵清洗速（sù）度；
主要參數均（jun1）可大範（fàn）圍連續調（diào）節（jiē）；
方便維護，可靠性高（gāo）；
PLC接口和RS485接（jiē）口擴展功能，方（fāng）便實現自動化控製。

主要用途：

MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過（guò）驅動多弧靶外圍磁場線圈，產生周（zhōu）期性可（kě）變磁磁場（chǎng），使多弧輝光由原來（lái）的集中放電變為均勻放電，提高工件膜層質量（liàng）

現在工業區，在範圍（wéi）上擴展（zhǎn）的是越來越廣，跟（gēn）隨我們行業的發展，現在機械設（shè）備研發的是越來越多，當然（rán）啦（lā），研發那麽多，在一些加工廠家肯定是要應用（yòng）到的啦，在範圍上，在數量上都不會少，現在我（wǒ）們來了解（jiě）下真空鍍膜電源這（zhè）項項（xiàng）目吧！

1、在光（guāng）學儀器中：人（rén）們熟悉的光學（xué）儀器有望（wàng）遠鏡、顯微鏡、照相機、測距（jù）儀，以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡（jìng）等，它們都離不（bú）開鍍膜技術（shù），鍍製的薄膜（mó）有反射膜、增透膜（mó）和吸收（shōu）膜等幾種。

2、在信息存儲領域中：薄膜材（cái）料作為信息記（jì）錄於存儲介質，有其得天獨厚的優勢：由於薄膜很薄，可以忽略渦流損耗（hào）；磁化反轉極（jí）為迅速；與（yǔ）膜麵平行的雙穩（wěn）態狀態容易保持（chí）等。為了更精密地記錄與存儲信息（xī），必然要采用鍍膜技術。

3、在傳感器方麵（miàn）：在傳感器中，多采用那些電氣性（xìng）質相對於物理（lǐ）量、化學量及（jí）其變化來說，極為敏（mǐn）感的半導（dǎo）體材料。此外，其中，大多數利用的是半導體的表麵、界麵的性質，需（xū）要盡量（liàng）增大其麵積，且能工業化、低價（jià）格製作，因此，采（cǎi）用薄膜的情況很多。

4、在集成（chéng）電（diàn）路製造中（zhōng）：晶體管路（lù）中的保（bǎo）護層（céng）（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶矽、鋁、銅及（jí）其合金）等，多是采（cǎi）用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金屬技術、磁控濺射技術和（hé）射頻濺射技術。可見，氣相沉積是製備集成（chéng）電路的核心技術（shù）之一。