主要型號:
型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰(fēng)值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點:
A 可選擇三角波、矩形波、正弦(xián)波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範(fàn)圍:0.1-50Hz
D三角(jiǎo)波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動控製(zhì)/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率(lǜ)開關器件,
體積小、重量輕(qīng)、功能(néng)全、性能穩定可(kě)靠,生(shēng)產(chǎn)工藝嚴格完善。
該係列產品采用(yòng)先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具(jù)有抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力(lì),既保證了靶麵清(qīng)洗工藝的(de)穩定性,又提高了靶麵(miàn)清洗速度;
主要參數均可大範圍(wéi)連續調節;
方(fāng)便維護(hù),可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁(cí)多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的(de)集中放電(diàn)變為均勻放電,提高工件膜(mó)層(céng)質量

現在工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟(gēn)隨我(wǒ)們行業的(de)發展(zhǎn),現在機械設備(bèi)研發的是越來越多(duō),當然啦,研發那麽(me)多,在一些加工廠家肯定(dìng)是要應用到的啦,在(zài)範圍上,在(zài)數量上都不會少,現在我們來了解下真空鍍膜電源這項項目(mù)吧!

1、在光學(xué)儀(yí)器中:人(rén)們熟(shú)悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生活(huó)用品中的鏡子、眼鏡(jìng)、放大鏡等,它們都離不開鍍(dù)膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜(mó)和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁(cí)化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與(yǔ)存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器(qì)方麵:在傳感器中,多采用那些電氣性質相對於物理量、化學量及其變化來說(shuō),極為敏感的半導體材料。此外,其中(zhōng),大多數利用的是半導體的表麵、界麵的(de)性質(zhì),需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作(zuò),因此,采用薄膜的情況很(hěn)多。
4、在集成電路製造中:晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技(jì)術。可見,氣相(xiàng)沉(chén)積是製備集成電路的核心技術之一。
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